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參數資料
型號: 2SD1918F5P
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-252
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 160V五(巴西)總裁| 1.5AI(丙)|至252
文件頁數: 1/9頁
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代理商: 2SD1918F5P
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PDF描述
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參數描述
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2SD1918TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1921 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR FTL50V .5A .4W ECB
2SD1922 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY HITACHI TRANSISTORTO-92MOD 25V .8A .9W ECB
2SD1933 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANS. TO-220FP80V 4A 30W BCE
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