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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1957/G |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 7 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 封裝： | TO-220FP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | 2SD1957/G |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1957F | 7 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SD2061F | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SD1960T93 | 5000 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD1963T100 | 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1308T100 | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1958 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO220ML200V 1.5A 30W |
| 2SD1963T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1963T100S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1979 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD19790SL | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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