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參數資料
| 型號： | 2SD1979 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification) |
| 中文描述： | 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SD1979 |
1
Transistor
2SD1979
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-voltage output amplification
For muting
For DC-DC converter
I
Features
G
Low ON resistance R
on
.
G
High foward current transfer ratio h
FE
.
G
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing and the magazine
packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Emitter
3:Collector
EIAJ:SC–70
S–Mini Type Package
2.1
±
0.1
1
±
0
0
±
0
0
±
0
0
+
–
0
+
–
2
±
0
1.25
±
0.1
0.425
0.425
1
3
2
0
0
0
0
0.2
±
0.1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
50
20
25
500
300
150
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to emitter voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
ON resistanse
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
CEO
h
FE*1
V
CE(sat)
V
BE
f
T
C
ob
R
on*2
Conditions
V
CB
= 50V, I
E
= 0
V
EB
= 25V, I
C
= 0
I
C
= 1mA, I
B
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 4mA
I
C
= 30mA, I
B
= 3mA
V
CE
= 2V, I
C
= 4mA
V
CB
= 6V, I
E
= –4mA, f = 200MHz
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
20
500
typ
0.6
80
4.5
1.0
max
1
1
2500
0.1
Unit
μ
A
μ
A
V
V
V
MHz
pF
*1
h
FE
Rank classification
*2
R
on
Measurement circuit
V
B
I
B
=1mA
R
on
= V
1000(
)
A
–V
B
f=1kHz
V=0.3V
1k
V
A
V
V
V
B
Rank
S
T
h
FE
500 ~ 1500
800 ~ 2500
Marking Symbol
3WS
3WT
Marking symbol :
3W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1985 | Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification) |
| 2SD1985A | Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification) |
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| 2SD1992A | Silicon NPN epitaxial planer type |
| 2SD1993 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency and low-noise amplification) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD19790SL | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1979GSL | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1980TL | 功能描述:達林頓晶體管 D-PAK;BCE NPN;DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD1980TLR | 制造商:Rohm 功能描述:NPN_[g 100V 2A 1000`10000 DPak, SC63,TO252 Cut Tape |
| 2SD1981-AE | 制造商:SANYO 功能描述:NPN 80V 2A 1000 MP Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL NPN 100V 80A TO-226 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
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