型號(hào): | 2SD2012 |
廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
英文描述: | NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
中文描述: | NPN硅功率晶體管 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/5頁(yè) |
文件大小: | 228K |
代理商: | 2SD2012 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SD837 | 2SD837 |
2SD2019 | Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管) |
2SD2030 | Silicon NPN Epitaxial |
2SD2031 | Silicon NPN Epitaxial |
2SD2033 | TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2SD2012(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
2SD2012(F,M) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VCEO 60V VCE 0.4 Ic 2A Audio Freq App RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2012,F(J | 制造商:Toshiba 功能描述:The same specification as 2SD2012(F) Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:0 |
2SD2012_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
2SD2012_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱(chēng):Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused Type |