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參數(shù)資料
型號: 2SD2176-TD
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 1.2 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大小: 68K
代理商: 2SD2176-TD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2176TD 1200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2176TD 1200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2177AR 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2177AS 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2191TL2/W 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2176-TD-E 制造商:SANYO 功能描述:NPN 50V 1.2A 1000 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL NPN 50V 50A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SD2177 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SD217700A 功能描述:TRANS NPN LF AMP 50VCE0 MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD21770SA 功能描述:TRANS NPN LF AMP 50VCEO MT-2 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2177A 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
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