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參數資料
| 型號： | 2SD2195T100 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-89 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|達林頓|叩| 100V的五（巴西）總裁|甲一（c）|采用SOT - 89 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 372K |
| 代理商： | 2SD2195T100 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2212T100 | BJT |
| 2SD1819AQ | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SD1819AR | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236VAR |
| 2SD1819AS | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236VAR |
| 2SD1820AQ | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD2196 | 制造商:SHINDENGEN 制造商全稱:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:Darlington Transistor(15A NPN) |
| 2SD2196-4100 | 功能描述:達林頓晶體管 V=200 IC=15 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD2196-7100 | 功能描述:達林頓晶體管 V=200 IC=15 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD2196-7112 | 功能描述:達林頓晶體管 V=200 IC=15 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD2197M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-71 |
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