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參數資料
型號: 2SD2195T101B
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 109K
代理商: 2SD2195T101B
相關PDF資料
PDF描述
2SB1260T101 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1900Q 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1427T101 2000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1664R 1000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2212B 2000 mA, 70 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
2SD2196 制造商:SHINDENGEN 制造商全稱:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:Darlington Transistor(15A NPN)
2SD2196-4100 功能描述:達林頓晶體管 V=200 IC=15 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD2196-7100 功能描述:達林頓晶體管 V=200 IC=15 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD2196-7112 功能描述:達林頓晶體管 V=200 IC=15 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD2197M 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-71
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