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參數資料
| 型號： | 2SD2206 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL TYPE (MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 中文描述： | npn型外延型（微電機驅動，錘子驅動，開關，功率放大器應用） |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | 2SD2206 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2210 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification) |
| 2SD2215 | Silicon NPN triple diffusion planar type(Silicon NPN triple diffusion planar type) |
| 2SD2215A | Silicon NPN triple diffusion planar type(Silicon NPN triple diffusion planar type) |
| 2SD2216J | SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
| 2SD2216L | For General Amplification |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD2206(T6CANO,F,M | 功能描述:TRANS NPN 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
| 2SD2206(T6CNO,A,F) | 功能描述:TRANS NPN 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
| 2SD2206(TE6,F,M) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TOS2SD2206(TE6,F,M) TRANSISTOR (SILICON) |
| 2SD2206(TPE6,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape |
| 2SD2206,T6F(J | 功能描述:TRANS NPN 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
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