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參數資料
| 型號： | 2SD2341R |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | MT3, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 183K |
| 代理商： | 2SD2341R |
Power Transistors
358
2SD2341
Silicon NPN triple diffusion planar type
For power amplification
I Features
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
High collector to emitter voltage V
CEO
Allowing automatic insertion possible with radial taping
I Absolute Maximum Ratings T
C = 25°C
1: Emitter
2: Collector
3: Base
MT-3-A1 Package
Unit: mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
VCBO
200
V
Collector to emitter voltage
VCEO
180
V
Emitter to base voltage
VEBO
6V
Peak collector current
ICP
3A
Collector current
IC
2A
Collector power dissipation
PC
1.5
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
I Electrical Characteristics T
C
= 25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB = 200 V, IE = 0
50
A
Emitter cutoff current
IEBO
VEB = 4 V, IC = 0
50
A
Collector to base voltage
VCBO
IC = 500
A, I
E = 0
200
V
Collector to emitter voltage
VCEO
IC = 5 mA, IB = 0
180
V
Emitter to base voltage
VEBO
IE = 500 A, IC = 0
6
V
Forward current transfer ratio
hFE1 *
VCE = 10 V, IC = 150 mA
60
240
hFE2
VCE = 10 V, IC = 400 mA
50
Base to emitter voltage
VBE
VCE = 10 V, IC = 400 mA
1
V
Collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = 500 mA, IB = 50 mA
1
V
Transition frequency
fT
VCB = 10 V, IC =
100 mA, f = 200 MHz
150
MHz
7.5±0.2
0.65±0.1
0.7±0.1
1.15±0.2
2.5±0.2
0.85±0.1
1.0±0.1
0.7±0.1
1.15±0.2
0.5±0.1
1
0.8 C
23
0.4±0.1
4.5±0.2
0.8 C
3.8
±0.2
16.0
±1.0
10.8
±0.2
2.05
±0.2
90
2.5
±0.1
Note) *: Rank classification
Rank
R
S
hFE1
60 to 140
100 to 240
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
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URL
about
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information.
http://panasonic.net/sc/en
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2343/P | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126FP |
| 2SD2343P | 2000 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2345T | 50 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD2384 | 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD2342 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3P150V 6A 50W BCE |
| 2SD2343 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD2345GSL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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| 2SD2351T106 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
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