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參數資料
| 型號： | 2SD2345GS |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 50 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 223K |
| 代理商： | 2SD2345GS |
Transistors
1
Publication date: June 2007
SJC00408AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
2SD2345G
Silicon NPN epitaxial planar type
For low-frequency amplification
■ Features
High forward current transfer ratio h
FE
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
High emitter-base voltage (Collector open) V
EBO
Low noise voltage NV
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
40
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
15
V
Collector current
IC
50
mA
Peak collector current
ICP
100
mA
Collector power dissipation
PC
125
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +125
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
IC = 10 A, IE = 050
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC = 1 mA, IB = 040
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
IE
= 10 A, I
C
= 015
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB = 20 V, IE = 0
100
nA
Collector-emitter cutoff current (Base open)
ICEO
VCE = 20 V, IB = 01
A
Forward current transfer ratio *
hFE
VCE = 10 V, IC = 2 mA
400
2 000
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = 10 mA, IB = 1 mA
0.05
0.20
V
Transition frequency
fT
VCB = 10 V, IE = 2 mA, f = 200 MHz
120
MHz
■ Electrical Characteristics T
a = 25°C ± 3°C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
Rank
R
S
T
hFE
400 to 800
600 to 1 200
1 000 to 2 000
■ Package
Code
SSMini3-F3
Marking Symbol: 1Z
Pin Name
1: Base
2: Emitter
3: Collector
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SD2387C | 8 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2387B | 8 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2SD2351T106 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD2351T106V | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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