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參數資料
| 型號： | 2SD2357 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
| 中文描述： | 1000 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-62, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | 2SD2357 |
1
Transistor
2SD2357
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency amplification
Complementary to 2SB1537
I
Features
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
Large collector power dissipation P
C
.
G
Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing and the maga-
zine packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Collector
3:Emitter
EIAJ:SC–62
Mini Power Type Package
4.5
±
0.1
1.6
±
0.2
2
±
0
2
±
0
0
1
+
–
4
+
–
3.0
±
0.15
1.5
±
0.1
0.4
±
0.08
0.5
±
0.08
1.5
±
0.1
0.4
±
0.04
45
°
marking
3
2
1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
stg
Ratings
10
10
5
1.2
1
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= 7V, I
E
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 1mA, I
B
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 100mA
**
I
C
= 500mA, I
B
= 5mA
V
CB
= 5V, I
E
= –50mA, f = 200MHz
V
CB
= 5V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
10
10
5
200
typ
120
30
max
1
800
0.15
Unit
μ
A
V
V
V
V
MHz
pF
Marking symbol :
1M
**
Pulse measurement
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm
2
or more, and the board
thickness of 1.7mm for the collector portion
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