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參數資料
型號: 2SD2391
廠商: Rohm CO.,LTD.
英文描述: Medium Power Transistor (-60V, -2A, 60V, 2A)
中文描述: 中等功率晶體管(- 60V的,- 2A型,60V的2A號)
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 48K
代理商: 2SD2391
(94S-191-B228)
(94S-380-D228)
294
Transistors
2SB1561
2SD2391
相關PDF資料
PDF描述
2SD1754 Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification with high forward current transfer ratio)
2SD1754A Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification with high forward current transfer ratio)
2SB1568 Power Transistor (−80V, −4A)
2SB1570 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose)
2SB1571 PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
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2SD2391T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2395E 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD2396 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR
2SD2396J 功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 3A TO220 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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