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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2440 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (SWITHCING APPLICATIONS) |
| 中文描述： | npn型三重擴散型（SWITHCING申請） |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | 2SD2440 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2441 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) |
| 2SD2449 | TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE |
| 2SD2453 | Silicon NPN triple diffusion planar type |
| 2SD2454 | 2SD2454 |
| 2SD2457 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2440(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape |
| 2SD244100L | 功能描述:TRANS NPN LF 10VCEO 1.5A MINIPWR RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2444KT146 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD2444KT146R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 15V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD245300L | 功能描述:TRANS NPN 60VCEO 2A U-G2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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