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參數資料
| 型號： | 2SD2611E |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220FN, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 2SD2611E |
2SD2611
Transistors
Power Transistor (80V, 7A)
2SD2611
!Features
1) Low saturation voltage, typically VCE(sat) = 0.3V at IC / IB =4 / 0.4A.
2) Excellent DC current gain characteristics.
3) Pc = 30W (Tc = 25
°C)
4) Wide SOA (safe operating area).
5) Complements the 2SB1672.
!Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
100
80
5
7
2
30
150
55 +150
Unit
V
A(DC)
10
A(Pulse)
W
W(Tc
=25°C)
°C
Single pulse,
Pw
=100ms
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
*
!Packaging specifications and hFE
Type
2SD2611
TO-220FN
DEF
500
Package
hFE
Code
Basic ordering unit (pieces)
!Electrical characteristics
(Ta = 25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
100
80
5
60
5
150
10
1
320
V
A
V
MHz
pF
IC
= 50A
IC
= 1mA
IE
= 50A
VCB
= 100V
VEB
= 4V
IC/IB
= 4A/0.4A
VBE(sat)
1.5
VIC/IB
= 4A/0.4A
VCE
= 5V , IC = 1A
VCE
= 5V , IE = 0.5A , f = 5MHz
VCB
= 10V , IE = 0A , f = 1MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Measured using pulse current
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2611F | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2611D | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2614 | 5 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2621G | 20 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2623T | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD262 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 300V 12A 125W BEC |
| 2SD2620G0L | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2620J0L | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD262100L | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSS MINI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2621G0L | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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