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參數資料
| 型號： | 2SD2620 |
| 廠商： | Panasonic Corporation |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
| 中文描述： | npn型硅外延（對于低頻放大龍門式） |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2SD2620 |
Transistors
2SD2620J
Silicon NPN epitaxial planer type
1
For low-frequency amplification
I
Features
High forward current transfer ratio h
FE
Low collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
High emitter to base voltage V
BEO
SS-mini type package
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
V
CB
=
60 V, I
E
=
0
V
CE
=
60 V, I
B
=
0
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
1 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
2 mA
I
C
=
10 mA, I
B
=
1 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
2 mA, f
=
200 MHz
V
CE
=
10 V, I
C
=
1 mA, GB
=
80 dB
R
g
=
100 k
, Function
=
FLAT
0.1
μ
A
μ
A
1.0
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
100
V
Collector to emitter voltage
100
V
Emitter to base voltage
15
V
Forward current transfer ratio
h
FE
400
1 200
Collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
f
T
NV
0.05
0.2
V
Transition frequency
200
MHz
Noise voltage
80
mV
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Marking Symbol: 3B
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
100
V
Collector to emitter voltage
100
V
Emitter to base voltage
15
V
Peak collector current
I
CP
I
C
P
C
50
mA
Collector current
20
mA
Collector power dissipation
125
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
0.27
±0.02
3
1
2
0.12
+0.03
0
±
(
0
1
±
0
0
0
+
–
(
5
°
5
°
1.60
+0.05
1.00
±0.05
(0.50)(0.50)
+
–
1: Base
2: Emitter
3: Collector
EIAJ: SC-81
SS-Mini Type Package
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參數描述 |
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| 2SD2620G0L | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2620J0L | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD262100L | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSS MINI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2621G0L | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD262300L | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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