欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: 2SD2638
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type
中文描述: 東芝晶體硅npn型三重擴散梅薩類型
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 139K
代理商: 2SD2638
2SD2638
2001-11-27
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type
2SD2638
Horizontal Deflection Output for Color TV, Digital TV.
High Speed Switching Applications.
High voltage: V
CBO
= 1700 V
Low saturation voltage: V
CE (sat)
= 5 V (max)
High speed: t
f
= 0.8 μs (max)
Maximum Ratings
(Tc 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
1700
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
750
V
Emitter-base voltage
V
EBO
5
V
DC
I
C
7
Collector current
Pulse
I
CP
14
A
Base current
I
B
3.5
A
Collector power dissipation
P
C
50
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55~150
°C
Equivalent Circuit
Electrical Characteristics
(Tc 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
1700 V, I
E
0
1
mA
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
5 V, I
C
0
66
200
mA
Emitter-base breakdown voltage
V
(BR) EBO
I
E
400 mA, I
C
0
5
V
h
FE
(1)
V
CE
5 V, I
C
1 A
8
25
DC current gain
h
FE
(2)
V
CE
5 V, I
C
5.5 A
4.5
7.5
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
I
C
5.5 A, I
B
1.2 A
5
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE (sat)
I
C
5.5 A, I
B
1.2 A
1.0
1.5
V
Forward voltage (damper diode)
V
F
I
F
7 A
1.3
2
V
Transition frequency
f
T
V
CE
10 V, I
C
0.1 A
2
MHz
Collector output capacitance
C
ob
V
CB
10 V, I
E
0, f 1 MHz
125
pF
Storage time
t
stg
7
9
Switching time
Fall time
t
f
I
CP
5.5 A, I
B1 (end)
1.1 A,
f
H
15.75 kHz
0.4
0.8
s
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-16E3A
Weight: 5.5 g (typ.)
1. Base
50 (typ.)
3. Emitter
2. Collector
相關PDF資料
PDF描述
2SD2649 Color TV Horizontal Deflection Output Applications
2SD2655 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
2SD2659 For Power Switching
2SD2689LS Color TV Horizontal Deflection Output Applications
2SD2695 Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power Transistor)
相關代理商/技術參數
參數描述
2SD2641 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Box 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN DARL 110V 6A TO3P
2SD2642 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN DARL 110V 6A TO220F
2SD2643 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN DARL 110V 6A TO3PF
2SD2646-YD 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
2SD2652T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
主站蜘蛛池模板: 原阳县| 永城市| 肥西县| 敦化市| 梨树县| 凤城市| 东明县| 济宁市| 新建县| 时尚| 陵水| 海南省| 南陵县| 华池县| 高安市| 太保市| 肇东市| 山丹县| 泽州县| 凤山县| 铜川市| 青川县| 秦皇岛市| 阳东县| 宁南县| 旬邑县| 延庆县| 屯留县| 交口县| 肃宁县| 和平区| 清徐县| 皋兰县| 永登县| 洱源县| 营山县| 滨州市| 汤阴县| 城市| 榕江县| 桃源县|