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參數資料
| 型號： | 2SD2659 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | For Power Switching |
| 中文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220D-A1, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 2SD2659 |
Power Transistors
2SD2659
Silicon NPN triple diffusion planar type
1
Publication date: January 2003
SJD00292AED
For power switching
■
Features
High forward current transfer ratio h
FE
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h
FE
TO-220D built-in: Excellent package with withstand voltage 5 kV
guaranteed
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
1.4
±
0.2
1.6
±
0.2
0.8
±
0.1
0.55
±
0.15
2.54
±
0.30
5.08
±
0.50
1
2
3
2.6
±
0.1
2.9
±
0.2
4.6
±
0.2
φ
3.2
±
0.1
3
±
0
9.9
±
0.3
1
±
0
1
±
0
4
±
0
S
Unit: mm
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
80
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
60
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
6
V
Collector current
3
A
Peak collector current
I
CP
6
A
Collector power
dissipation
T
C
=
25
°
C
P
C
20
W
2
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
1: Base
2: Collector
3: Emitter
TO-220D-A1 Package
Internal Connection
B
C
E
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
C
=
10 mA, I
B
=
0
V
CB
=
80 V, I
E
=
0
V
CE
=
60 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
V
CE
=
4.0 V, I
C
=
0.5 A
I
C
=
2.0 A, I
B
=
0.05 A
V
CE
=
12 V, I
C
=
0.2 A, f
=
10 MHz
60
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
100
μ
A
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
I
EBO
100
Emitter-base cutoff current (Collector open)
100
Forward current transfer ratio
h
FE
500
1
500
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
f
T
1.2
V
Transition frequency
50
MHz
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參數描述 |
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| 2SD2670TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2671TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2672TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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