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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2674TL |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TSMT3, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | 2SD2674TL |
2SD2674
Transistors
Rev.B
1/2
General purpose amplification (12V, 1.5A)
2SD2674
Application
Low frequency amplifier
Features
1) A collector current is large.
2) Collector saturation voltage is low.
VCE(sat)
200mV
at IC
= 500mA / IB = 25mA
<=
External dimensions (Unit : mm)
Each lead has same dimensions
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
TSMT3
0~0.1
0.16
0.85
1.0MAX
0.7
0.3
~
0.6
(2)
(1)
(3)
2.9
2.8
1.9
1.6
0.95
0.4
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Unit
1
2
VCBO
V
Collector-base voltage
VCEO
V
Collector-emitter voltage
VEBO
V
Emitter-base voltage
IC
A
ICP
A
Collector current
PC
mW
Power dissipation
Tj
°C
Junction temperature
Tstg
Limits
15
12
6
1.5
3
500
W
1
150
55 to +150
°C
Range of storage temperature
1 Single pulse, PW=1ms
2 Mounted on a 25×25× 0.8mm Ceramic substrate
t
Packaging specifications
2SD2674
TL
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ. Max.
Unit
Conditions
15
V
IC
=10A
Collector-base breakdown voltage
BVCBO
12
V
IC
=1mA
Collector-emitter breakdown voltage
BVCEO
6
V
IE
=10A
Emitter-base breakdown voltage
BVEBO
100
nA
VCB
=15V
Collector cutoff current
ICBO
Emitter cutoff current
100
nA
VEB
=6V
IEBO
85
200
mV
IC/IB
=500mA/25mA
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
270
680
VCE/IC
=2V/200mA
DC current gain
hFE
400
MHz VCE
=2V, IE=200mA, f=100MHz
Transition frequency
fT
12
pF
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
Collector output capacitance
Cob
Pulsed
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2686 | 1 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2702TL | 1500 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2703TL | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2716 | 6 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2721 | 12 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2675TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2679T100 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:2A / 30V BIPOLAR TRANSISTOR 3MPT3 - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS NPN BIPO 30V 2A MPT3 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTR 2A 30V |
| 2SD2686(TE12L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Darlington Trans. NPN 60V 1A hfe2000min. |
| 2SD2695(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk |
| 2SD2695(T6CANO,A,F | 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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