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參數資料
| 型號： | 2SD2678 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | 3A / 12V Bipolar transistor |
| 中文描述： | 第3A / 12V的雙極晶體管 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | 2SD2678 |
2SD2678
Transistors
3A / 12V Bipolar transistor
2SD2678
z
Applications
z
External dimensions
(Unit : mm)
Low frequency amplification, driver
z
Features
1) Collector current is high.
2) Low collector-emitter saturation voltage.
(V
CE(sat)
≤
250mV at I
C
= 1.5A, I
B
= 30mA)
z
Structure
NPN epitaxial planar silicon transistor
1/2
MPT3
(1)Base
(2)Collector
(3)Emitter
1.5
0.4
1.6
0.5
3.0
0.4
0.4
1.5
1.5
(3)
(2)
(1)
4.5
0
4
2
1
Abbreviated symbol : XX
Packaging type
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
T100
1000
Package
MPT3
2SD2678
Part No.
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
V
EBO
DC
Pulse
z
Packaging specifications
Limits
15
12
6
3
A
6
1
Power dissipation
Collector current
Junction temperature
Storage temperature
1 Pw=1ms, Pulsed.
×
40
×
0.7mm ceramic board.
P
C
Symbol
V
CBO
V
CEO
I
C
I
CP
Tj
Tstg
0.5
2
150
55 to
+
150
Unit
V
V
V
W
°
C
°
C
2
3
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Conditions
Collector-base breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Collector output capacitance
Pulsed
I
C
=10
μ
A
I
E
=10
μ
A
V
CB
=15V
V
EB
=6V
I
C
/I
B
=1.5A/30mA
V
CE
=2V, I
C
=500mA
V
CE
=2V, I
E
=
500mA , f=100MHz
V
CB
=10V , I
E
=0mA , f=1MHz
Collector-emitter breakdown voltage
I
C
=1mA
Symbol
BV
CEO
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
Cob
Min.
12
15
6
270
Typ.
120
360
20
Max.
100
100
250
680
Unit
V
nA
mV
MHz
pF
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