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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD991K |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型三重?cái)U(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | 2SD991K |
2SD991(K)
Silicon NPN Triple Diffused
Application
High voltage switching, igniter
Outline
TO-220AB
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
123
3000
(Typ)
150
(Typ)
1
2
3
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
*
Tj
300
V
Collector to emitter voltage
300
V
Emitter to base voltage
7
V
Collector current
6
A
Collector peak current
10
A
Collector power dissipation
1
50
W
Junction temperature
150
°C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25°C.
Tstg
–55 to +150
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD992 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 |
| 2SD992-Z | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 |
| 2SE296843 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SJ0163(2SJ163) | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SJ0164(2SJ164) | 小信號(hào)デバイス － 小信號(hào)FET － 接合形FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD992 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 |
| 2SD992-AZ-K | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bulk |
| 2SD992-AZ-L | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bulk |
| 2SD992K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SD992L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
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