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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ0164(2SJ164) |
| 英文描述： | 小信號デバイス － 小信號FET － 接合形FET |
| 中文描述： | 小信號デバイス-小信號場效應管-接合形場效應管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | 2SJ0164(2SJ164) |
1
Publication date: January 2002
SJF00001BED
Silicon Junction FETs (Small Signal)
2SJ0163
(2SJ163)
Silicon P-Channel Junction FET
For general switching
Complementary to 2SK1103
I
Features
G
Low ON-resistance
G
Low-noise characteristics
1: Source
2: Drain
3: Gate
JEDEC: TO-236
EIAJ: SC-59
Mini3-G1 Package
I
Absolute Maximum Ratings
(T
a
=
25°C)
Parameter
Gate to Drain voltage
Drain current
Gate current
Allowable power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Symbol
V
GDS
I
D
I
G
P
D
T
ch
T
stg
Ratings
65
20
10
150
150
55 to
+
150
Unit
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
I
Electrical Characteristics
(T
a
=
25
°
C)
Parameter
Drain to Source cut-off current
Gate to Source leakage current
Gate to Drain voltage
Gate to Source cut-off voltage
Forward transfer admittance
Drain to Source ON-resistance
Input capacitance (Common Source)
Reverse transfer capacitance (Common Source)
Symbol
I
DSS*
I
GSS
V
GDS
V
GSC
| Y
fs
|
R
DS(on)
C
iss
C
rss
Conditions
V
DS
=
10 V, V
GS
= 0
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0
I
G
= 10
μ
A, V
DS
= 0
V
DS
=
10 V, I
D
=
10
μ
A
V
DS
=
10 V, I
D
=
1 mA, f = 1 kHz
V
DS
=
10 mV, V
GS
= 0
V
DS
=
10 V, V
GS
= 0, f = 1 MHz
min
0.2
65
1.8
max
6
10
3.5
Unit
mA
nA
V
V
mS
pF
pF
*
I
DSS
rank classification
Marking Symbol (Example): 4M
0.40
+0.10
(
1
+
–
2
+
–
2
1
3
(0.95) (0.95)
1.9
±
0.1
2.90
+0.20
0.16
+0.10
0
±
0
5
10
0
1
+
–
1
+
–
typ
1.5
2.5
300
12
4
Runk
I
DSS
(mA)
Marking Symbol
O
0.2 to
1
4MO
P
0.6 to
1.5
4MP
Q
1 to
3
4MQ
R
2.5 to
6
4MR
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Unit: mm
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