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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD999CL |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 30K |
| 代理商： | 2SD999CL |
2SD991(K)
Silicon NPN Triple Diffused
Application
High voltage switching, igniter
Outline
TO-220AB
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
123
3000
(Typ)
150
(Typ)
1
2
3
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
*
Tj
300
V
Collector to emitter voltage
300
V
Emitter to base voltage
7
V
Collector current
6
A
Collector peak current
10
A
Collector power dissipation
1
50
W
Junction temperature
150
°C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25°C.
Tstg
–55 to +150
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD999CM | BJT |
| 2SD991 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
| 2SD991K | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
| 2SD992 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 |
| 2SD992-Z | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD999CM | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
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| 2SD999-T1-AZ(CK) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD999-T1-AZ(CL) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN |
| 2S-DAA-005 | 制造商:Jewell Instruments 功能描述:DISPLAYS |
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