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參數資料
| 型號： | 2SJ0364 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | For analog switch |
| 中文描述： | 20 mA, 65 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SC-70, SMINI3-G1, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | 2SJ0364 |
239
Silicon Junction FETs (Small Signal)
2SJ0364
(2SJ364)
Silicon P-Channel Junction FET
unit: mm
For analog switch
I
Features
G
Low ON-resistance
G
Low-noise characteristics
1: Source
2: Drain
3: Gate
EIAJ: SC-70
SMini3-G1 Package
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Gate to Drain voltage
Drain current
Gate current
Allowable power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Symbol
V
GDS
I
D
I
G
P
D
T
ch
T
stg
Ratings
65
20
10
150
150
55 to +150
Unit
V
mA
mA
mW
°C
°C
I
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Parameter
Drain to Source cut-off current
Gate to Source leakage current
Gate to Drain voltage
Gate to Source cut-off voltage
Forward transfer admittance
Drain to Source ON-resistance
Input capacitance (Common Source)
Reverse transfer capacitance (Common Source)
Symbol
I
DSS*
I
GSS
V
GDS
V
GSC
| Y
fs
|
R
DS(on)
C
iss
C
rss
Conditions
V
DS
=
10V, V
GS
= 0
V
GS
= 30V, V
DS
= 0
I
G
= 10
μ
A, V
DS
= 0
V
DS
=
10V, I
D
=
10
μ
A
V
DS
=
10V, I
D
=
1mA, f = 1kHz
V
DS
=
10mV, V
GS
= 0
V
DS
=
10V, V
GS
= 0, f = 1MHz
min
0.2
65
1.8
max
6
10
3.5
Unit
mA
nA
V
V
mS
pF
pF
*
I
DSS
rank classification
Marking Symbol (Example): 4M
typ
1.5
2.5
300
12
4
Runk
I
DSS
(mA)
Marking Symbol
O
0.2 to
1
4MO
P
0.6 to
1.5
4MP
Q
1 to
3
4MQ
R
2.5 to
6
4MR
2
±
1.3
±0.1
0.3
+0.1
–
0.0
2.0
±0.2
1
±
(
1
3
2
(0.65) (0.65)
0
±
0
±
0
0
+
–
0
0.15
+0.05
–
5
°
10
°
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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