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參數資料
| 型號： | 2SJ451ZK-TR-E |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SC-59A, MPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | 2SJ451ZK-TR-E |
REJ03G864-0400 Rev.4.00 Sep 07, 2007
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2SJ451
Silicon P Channel MOS FET
REJ03G0864-0400
Rev.4.00
Sep 07, 2007
Description
Low frequency power switching
Features
Low on-resistance.
Low drive power
2.5 V gate drive device.
Small package (MPAK).
Outline
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A
(Package name: MPAK)
1. Source
2. Gate
3. Drain
D
S
G
1
2
3
Note: Marking is “ZK–”.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Value
Unit
Drain to source voltage
VDSS
–20
V
Gate to source voltage
VGSS
±20
V
Drain current
ID
–0.2
A
Drain peak current
ID (pulse)
Note 1
–0.4
A
Channel dissipation
Pch
150
mW
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. PW
≤ 10 s, duty cycle ≤ 1%
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ484WYTR-E | 2000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ486 | 300 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ493-AZ | 16 A, 60 V, 0.185 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ493 | 16 A, 60 V, 0.185 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ495-AZ | 30 A, 60 V, 0.056 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SJ452 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ453 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-251 |
| 2SJ453TP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-251VAR |
| 2SJ453TP-FA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252VAR |
| 2SJ454 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5A I(D) |
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