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參數資料

2SJ556

Silicon P Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-645A (Z)

2nd. Edition

Jun 1998

Features

Low on-resistance

DS(on) = 0.028 typ.

Low drive current.

4V gate drive devices.

High speed switching.

Outline

相關PDF資料	PDF描述
2SJ557A	2500 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2SJ557A	2500 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2SJ560	1.5 A, 20 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ562	2 A, 20 V, 0.315 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ567(2-7B1B)	2.5 A, 200 V, 2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

相關代理商/技術參數	參數描述
2SJ557	制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
2SJ557-T1B-A	制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SC-96 T/R 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SC-96 T/R Cut Tape
2SJ559	制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
2SJ56	制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:MOSFET P-Ch 200V 8A High Speed TO-3
2SJ560	制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications

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