型號: | 2SJ75 |
廠商: | Toshiba Corporation |
英文描述: | SILICON P-Channel Transistor 2SJ75 |
中文描述: | 硅P溝道晶體管2SJ75 |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大小: | 55K |
代理商: | 2SJ75 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SK0065 | For Impedance Conversion In Low Frequency |
2SK0123 | For Impedance Conversion In Low Frequency |
2SK0198 | For Low-Frequency Amplification |
2SK198 | For Low-Frequency Amplification |
2SK0301 | Silicon N-Channel Junction FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
2SJ76 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
2SJ76-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET P-CH 140V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Box Tray 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 140V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Box |
2SJ77 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 160V 0.5A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET P-CH 160V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Box 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET P-CH 160V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Box Bulk |
2SJ77-E | 功能描述:MOSFET P-CH 160V 0.5A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |