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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK0662 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Junction FET |
| 中文描述： | 20 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | 2SK0662 |
251
Silicon Junction FETs (Small Signal)
2SK0662
(2SK662)
Silicon N-Channel Junction FET
unit: mm
For low-frequency amplification
I
Features
G
High mutual conductance g
m
G
Low noise type
G
S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto-
matic insertion through the tape/magazine packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Drain to Source voltage
Gate to Drain voltage
Drain current
Gate current
Allowable power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
DSX
V
GDO
I
D
I
G
P
D
T
j
T
stg
Ratings
30
30
20
10
150
125
55 to +125
Unit
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
I
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Parameter
Drain to Source cut-off current
Gate to Source leakage current
Gate to Source cut-off voltage
Mutual conductance
Input capacitance (Common Source)
Reverse transfer capacitance (Common Source)
Noise figure
Symbol
I
DSS*
I
GSS
V
GSC
g
m
C
iss
C
rss
NV
Conditions
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
V
GS
=
30V, V
DS
= 0
V
DS
= 10V, I
D
= 10
μ
A
V
DS
= 10V, I
D
= 0.5mA, f = 1kHz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0, f = 1kHz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0, f = 1MHz
V
DS
= 30V, I
D
= 1mA, G
V
= 80dB
R
g
= 100k
, Function = FLAT
min
0.5
0.1
4
4
max
12
100
1.5
Unit
mA
nA
V
mS
p F
p F
mV
*
I
DSS
rank classification
Marking Symbol (Example): 1O
typ
14
3.5
60
Runk
I
DSS
(mA)
Marking Symbol
P
0.5 to 3
1OP
Q
2 to 6
1OQ
R
4 to 12
1OR
1: Source
2: Drain
3: Gate
EIAJ: SC-70
SMini3-G1 Package
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
2
±
1.3
±0.1
0.3
+0.1
–
0.0
2.0
±0.2
1
±
(
1
3
2
(0.65) (0.65)
0
±
0
±
0
0
+
–
0
0.15
+0.05
–
5
°
10
°
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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