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參數資料
| 型號： | 2SK1102 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
| 中文描述： | N溝道硅片功率場效應管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 169K |
| 代理商： | 2SK1102 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1102-01MR | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK1103 | Silicon N-Channel Junction FET |
| 2SK1104 | Silicon N-Channel Junction FET |
| 2SK1113 | 2SK1113 |
| 2SK1117 | 2SK1117 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK1102-01 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247 |
| 2SK1102-01M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR |
| 2SK1102-01MR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 2SK1103 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Junction FET |
| 2SK11030QL | 功能描述:JFET N-CH 65V 20MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> JFET（結點場效應 系列:- 標準包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關）@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商設備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
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