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參數資料
型號: 2SK2035
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 100 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: 2-2H1B, SSM, 3 PIN
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 153K
代理商: 2SK2035
2SK2035
2003-03-27
1
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
2SK2035
High Speed Switching Applications
Analog Switching Applications
High input impedance.
Low gate threshold voltage: Vth = 0.5~1.5 V
Excellent switching times: ton = 0.16 s (typ.)
toff = 0.15 s (typ.)
Small package
Enhancement-mode
Marking
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Drain-source voltage
VDS
20
V
Gate-source voltage
VGSS
10
V
Drain current
ID
100
mA
Drain power dissipation
PD
100
mW
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature range
Tstg
-55~150
°C
Note: This transistor is electrostatic sensitive device. Please handle with caushon.
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-2H1B
Weight: 2.4 mg (typ.)
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PDF描述
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參數描述
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