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參數資料
| 型號： | 2SK2209-01R |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET |
| 中文描述： | 15 A, 500 V, 0.48 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3PF |
| 封裝： | TO-3PF, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 156K |
| 代理商： | 2SK2209-01R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2211 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK2213-01L | N-channel MOS-FET |
| 2SK2213-01S | N-channel MOS-FET |
| 2SK2215-01L | N-channel MOS-FET |
| 2SK2215-01S | N-channel MOS-FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK220H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 160V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-3 |
| 2SK2211 | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
| 2SK221100L | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1A MINI-PWR RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2212 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK2212-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
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