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參數資料
| 型號： | 2SK2315 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL, FET |
| 封裝： | UPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SK2315 |
2SK2315
Silicon N-Channel MOS FET
ADE-208-1354 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
2.5 V gate drive device can be driven from 3 V source.
Suitable for DC-DC converter, motor drive, power switch, solenoid drive
Outline
4
3
2
1
UPAK
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
D
G
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2319 | 7 A, 800 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2327 | 10 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2329-E | 8 A, 1500 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2331TE12R | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK2332 | KA BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK2315TY(TR-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK2315TYTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK2315TYTR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A UPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2315TYTR-E | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2316 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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