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參數資料
| 型號： | 2SK2539-8 |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管|場效應| N溝道| 25mA電流我（直）|的SOT - 346 |
| 文件頁數： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2SK2539-8 |
2SK2553
6
Package Dimensions
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Mass
(reference value)
LDPAK (L)
—
—
1.4 g
10.2
±
0.3
0.86
0.76
±
0.1
2.54
±
0.5
2.54
±
0.5
+ 0.2
1.2
±
0.2
4.44
±
0.2
1.3
±
0.15
2.59
±
0.2
0.4
±
0.1
1
±
8
±
1
1
±
+
–
(
1.27
±
0.2
As of January, 2001
Unit: mm
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2SK2541 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING |
| 2SK2541-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin |
| 2SK2542 | 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK2542(F) | 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK2542_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications |
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