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參數(shù)資料
型號: 2SK2573(TENTATIVE)
英文描述: 2SK2573 (Tentative) - N-Channel Power F-MOS FET
中文描述: 2SK2573(暫定) - N溝道功率的F -場效應晶體管
文件頁數(shù): 2/9頁
文件大小: 48K
代理商: 2SK2573(TENTATIVE)
2SK2553
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
I
DR
I
AP
E
AR
Pch
Note 2
60
V
Gate to source voltage
±
20
V
Drain current
50
A
Drain peak current
Note 1
200
A
Body to drain diode reverse drain current
50
A
Avalanche current
Note 3
45
A
Avalanche energy
Note 3
174
mJ
Channel dissipation
75
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes
1. PW
10
μ
s, duty cycle
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
3. Value at Tch = 25
°
C, Rg
50
Tstg
–55 to +150
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PDF描述
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