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參數(shù)資料
型號: 2SK2590
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
中文描述: 硅N溝道場效應(yīng)晶體管(不適用溝道MOSFET的)
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大?。?/td> 26K
代理商: 2SK2590
2SK2590
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
1
I
DR
Pch*
2
200
V
Gate to source voltage
±
20
V
Drain current
7
A
Drain peak current
28
A
Body to drain diode reverse drain current
7
A
Channel dissipation
50
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes
1. PW
10
μ
s, duty cycle
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
Tstg
–55 to +150
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PDF描述
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2SK2593GQL 功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET(結(jié)點場效應(yīng) 系列:- 標準包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān))@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
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