- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369201 > 2SK2590 (Hitachi,Ltd.) Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SK2590 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 26K |
| 代理商： | 2SK2590 |
2SK2590
3
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown
voltage
V
(BR)DSS
200
—
—
V
I
D
= 10 mA, V
GS
= 0
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±
20
—
—
V
I
G
=
±
100
μ
A, V
DS
= 0
Gate to source leak current
I
GSS
—
—
±
10
μ
A
μ
A
V
GS
=
±
16 V, V
DS
= 0
V
DS
=160 V, V
GS
= 0
I
D
= 1 mA, V
DS
= 10 V
I
D
= 4 A
V
GS
= 10 V*
1
I
D
= 4 A
V
DS
= 10 V*
1
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
f = 1 MHz
Zero gate voltage drain current I
DSS
Gate to source cutoff voltage
—
—
250
V
GS(off)
R
DS(on)
2.0
—
4.0
V
Static drain to source on state
resistance
—
0.33
0.45
Forward transfer admittance
|y
fs
|
3.0
4.5
—
S
Input capacitance
Ciss
—
700
—
pF
Output capacitance
Coss
—
260
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
45
—
pF
Turn-on delay time
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DF
—
20
—
ns
I
D
= 4 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 7.5
Rise time
—
45
—
ns
Turn-off delay time
—
50
—
ns
Fall time
—
35
—
ns
Body to drain diode forward
voltage
—
1.1
—
V
I
F
= 7 A, V
GS
= 0
Body to drain diode reverse
recovery time
Note
1. Pulse Test
t
rr
—
150
—
ns
I
= 7 A, V
= 0,
diF / dt = 100 A /
μ
s
See characteristics curves of 2SK1957.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2591 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2625 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK2625LS | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK2627 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK2631 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK2590-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK2591 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 2SK2592 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-262AA |
| 2SK2593 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Junction FET |
| 2SK2593GQL | 功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> JFET（結點場效應 系列:- 標準包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關）@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商設備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。