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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2591 |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2SK2591 |
2SK2553(L), 2SK2553(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-357H (Z)
9th. Edition
Feb. 1999
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
R
DS(on)
= 7 m
typ.
High speed switching
4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
3
2
1
4
3
2
1
4
LDPAK
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
D
G
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2592 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK2593P | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 1MA I(DSS) | SC-75A |
| 2SK2593Q | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK2593R | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 5MA I(DSS) | SC-75A |
| 2SK2593S | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2592 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-262AA |
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| 2SK2593JQL | 功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET（結(jié)點場效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK2593P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 1MA I(DSS) | SC-75A |
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