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參數資料
| 型號： | 2SK2611 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | High Speed,High Voltage Switching Application N Channel MOSFET(高速大電流轉換用 N溝道 MOS場效應管) |
| 中文描述： | 高速，高電壓開關應用N溝道MOSFET（高速大電流轉換用?溝道馬鞍山場效應管） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 303K |
| 代理商： | 2SK2611 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2613 | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSIII) |
| 2SK2614 | High Speed,High Current Switching Application N Channel MOSFET(高速大電流轉換用 N溝道 MOS場效應管) |
| 2SK2615 | High Speed,High Current Switching Application N Channel MOSFET(高速大電流轉換用 N溝道 MOS場效應管) |
| 2SK2616 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK2618LS | N- Channel MOS Silicon FET Very High-Speed Switching Applications |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK2611(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 900V 9A 1.4@10V TO3P(N) Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N TO-3P 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET, N, TO-3P |
| 2SK2611(F,T) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 900V 9A Rdson 1.4 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK2611 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N TO-3P |
| 2SK2611T | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 900V 9A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube |
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