- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369201 > 2SK2627 (Sanyo Electric Co.,Ltd.) Ultrahigh-Speed Switching Applications PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SK2627 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 中文描述： | 超高速開關應用 |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | 2SK2627 |
2SK2627
No.6228–2/4
Continued from preceding page.
Switching Time Test Circuit
P.G
2SK2627
S
G
D
VOUT
VDD
=
200V
ID
=
2.5A
RL
=
80.0
PW
=
1
μ
s
D.C.
≤
0.5%
RGS
=
50
VIN
VIN
15V
0V
r
m
a
P
l
b
m
y
S
s
n
o
n
o
C
s
g
n
R
y
t
U
n
m
p
x
a
m
e
m
g
h
y
C
a
D
e
D
F
e
w
r
F
e
G
N
O
m
i
F
O
m
i
e
d
l
T
-
T
s
R
-
T
l
F
o
D
g
Q
VS
D
e
S
e
S
e
S
e
S
IS
=
V
d
d
d
d
=
,
V
0
e
e
e
e
p
e
e
p
s
e
e
p
s
V
,
A
5
0
2
p
=
s
s
S
t
e
t
e
T
t
e
T
t
e
T
0
G
T
I
V
c
C
c
C
c
C
c
C
0
1
=
D
A
5
=
0
0
0
0
5
7
2
2
2
5
2
C
s
s
s
s
V
n
n
n
n
n
e
i
t
o
)
tr
t
t
t
t
e
e
e
e
e
e
m
i
y
a
t
)
tf
VD
S
e
g
a
V
d
S
G
8
2
ID
-
VDS
ID
-
VGS
VDS=10V
VDS=10V
8V
10V
7V
15V
VGS=6V
Tc=
-
25
°
C
75
°
C
Tc=
-
25
°
C
75
°
C
25
°
C
25
°
C
ID
-
VDS
8V
10V
7V
15V
VGS=6V
5
3
4
1
2
00
2
Drain-to-Source Voltage, V
DS
– V
4
6
8
10
10
6
8
2
4
00
10
Drain-to-Source Voltage,V
DS
– V
|y
fs
|
-
I
D
20
30
40
50
8
3
4
5
6
7
2
1
00
2
4
16
6
8
10
12
14
7
1.0
7
10
5
3
2
5
3
2
0.1
0.1
2
3
1.0
7
10
7
5
2
3
5
D
D
D
D
D
D
Gate-to-Source Voltage,V
GS
– V
F
Drain Current,I
D
– A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2631 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK2684 | Silicon N Channel DV-L MOS FET(N溝道 DV-L MOSFET) |
| 2SK2684L | Silicon N Channel DV-L MOS FET(N溝道 DV-L MOSFET) |
| 2SK2734 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2735L | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK2628ALS | 制造商:SANYO 功能描述:MOSFET,N CH,600V,7A,TO-220FI Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFETN CH600V7ATO-220FI |
| 2SK2631-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:Nch 800V 1A 10@10V TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 800V 1A TO251 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SK2632LS | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220FI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2638-01MRSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK2640 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。