欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: 2SK2735
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述: 硅?通道場效應晶體管高速電源開關
文件頁數: 1/7頁
文件大小: 39K
代理商: 2SK2735
2SK2735(L), 2SK2735(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-543
1st. Edition
Features
Low on-resistance
R
DS
= 20 m
typ.
High speed switching
4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
12
3
4
4
12
3
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
DPAK–2
D
G
S
相關PDF資料
PDF描述
2SK2737 Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2795 Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier
2SK2796 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2796L Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2796S Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
相關代理商/技術參數
參數描述
2SK2735L(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK2736(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK2738(E) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape
2SK2740 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2744 功能描述:MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
主站蜘蛛池模板: 涡阳县| 武功县| 通州市| 宁德市| 唐河县| 措勤县| 津南区| 彰武县| 利川市| 金溪县| 上栗县| 全南县| 林口县| 大厂| 朝阳区| 蒲城县| 庄河市| 泽库县| 曲阜市| 元朗区| 紫金县| 沙田区| 民县| 阿勒泰市| 安泽县| 余庆县| 勃利县| 海伦市| 庆元县| 台山市| 巴东县| 沈丘县| 凭祥市| 昆明市| 浪卡子县| 蚌埠市| 巩留县| 五华县| 台安县| 晴隆县| 伊金霍洛旗|