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參數資料
| 型號： | 2SK2735 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道場效應晶體管高速電源開關 |
| 文件頁數： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2SK2735 |
2SK2735(L), 2SK2735(S)
6
Package Dimensions
Unit: mm
6.5
±
0.5
5.4
±
0.5
1.15
±
0.1
0.8
±
0.1
2.3
±
0.2
0.55
±
0.1
2.29
±
0.5
0.55
±
0.1
1.2 typ
1
±
5
±
3
±
1
±
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±
0.5
5.4
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2.3
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±
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±
9
±
2
±
2.29
±
0.5
1
0.55
±
0.1
0 ~ 0.25
type
L
S type
4
±
Hitachi
EIAJ ( L type)
EIAJ ( S type)
JEDEC
DPAK–2
SC–63
SC–64
—
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2737 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2795 | Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier |
| 2SK2796 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2796L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2796S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK2735L(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK2736(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK2738(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SK2740 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2744 | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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