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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2735S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2SK2735S |
2SK2735(L), 2SK2735(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-543
1st. Edition
Features
Low on-resistance
R
DS
= 20 m
typ.
High speed switching
4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
12
3
4
4
12
3
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
DPAK–2
D
G
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2735 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK2737 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2795 | Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier |
| 2SK2796 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2796L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2736(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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| 2SK2740 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2744 | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2744(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN |
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