- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369202 > 2SK2772 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2772 |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 235V五（巴西）直| 4A條（丁）|律師- 63 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 490K |
| 代理商： | 2SK2772 |
Safe Operating Area
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
2SK2798
100
μ
s
Tc = 25
°
C
Single Pulse
200
μ
s
1ms
10ms
DC
Drain-Source Voltage V
DS
[V]
D
D
R
DS(ON)
limit
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2787LS | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK2790 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-221VAR |
| 2SK2794 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK2807-01 | |
| 2SK2885(L) | |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2776(Q) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson=0.85Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK2776(TE24L,Q) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson=0.85Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK2776-SM(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SK2777(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FL 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A TO220FL |
| 2SK2777(SM,Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A TO220SM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。