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參數資料
型號: 2SK2787LS
英文描述: Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 450V五(巴西)直| 8A條(?。﹟至220F
文件頁數: 1/10頁
文件大小: 490K
代理商: 2SK2787LS
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相關PDF資料
PDF描述
2SK2790 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-221VAR
2SK2794 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK2807-01
2SK2885(L)
2SK2885(S)
相關代理商/技術參數
參數描述
2SK2788VYTR-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 2A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Nch MOSFET,60V,2A,0.12ohm,UPAK 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 2A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R
2SK2789(Q) 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin (3+Tab) TO-220FL/SM
2SK2789-SM(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
2SK2792 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2793 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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