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參數資料
| 型號： | 2SK2787LS |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 450V五（巴西）直| 8A條（丁）|至220F |
| 文件頁數： | 8/10頁 |
| 文件大小： | 490K |
| 代理商： | 2SK2787LS |
Capacitance
1
10
100
1000
10000
0
20
40
60
80
100
2SK2798
Tc=25
°
C
TYP
Ciss
Coss
Crss
Drain-Source Voltage V
DS
[V]
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2790 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-221VAR |
| 2SK2794 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK2807-01 | |
| 2SK2885(L) | |
| 2SK2885(S) | |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2SK2789(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin (3+Tab) TO-220FL/SM |
| 2SK2789-SM(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SK2792 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2793 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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