- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369203 > 2SK3112-ZJ (NEC Corp.) SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SK3112-ZJ |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
| 中文描述： | 開關N溝道功率MOSFET的工業用 |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | 2SK3112-ZJ |
Data Sheet D13335EJ1V0DS
4
2SK3112
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
S
0
0.5
1.0
1.5
V
GS
= 10 V
0 V
Pulsed
100
10
1
0.1
0.01
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
0.1
100
1000
1
10
100
V
GS
=
0
V
f
=
1
MHz
C
iss
C
oss
C
rss
10
10000
1000
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE CURRENT
I
F
- Diode Current - A
t
r
0.1
10
1
10
100
100
1
1000
di/dt
=
50
A/
μ
s
V
GS
=
0
V
SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
DD
=
100 V
V
GS
=
10 V
R
G
=
10
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
V
G
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
0
10
20
30
40
50
60
70
V
GS
V
DS
240
200
160
120
80
40
0
12
10
8
6
4
2
0
I
D
= 25 A
V
DD
= 160 V
100 V
40 V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
50
150
R
D
-
0
100
50
T
ch
- Channel Temperature -
C
200
150
100
50
0
V
GS
= 10 V
Pulsed
13 A
I
D
= 25 A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3112 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3113B | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2SK3113B(1)-S27-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2SK3113B-S15-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2SK3113B-ZK-E1-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3113 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3113-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 600V 2A 4400m@10V TO251 Bulk |
| 2SK3113B | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2SK3113B(1)-S27-AY | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2SK3113B-S15 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。