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參數(shù)資料
型號(hào): 2SK3113B(1)-S27-AY
廠商: NEC Corp.
英文描述: MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述: MOS場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大小: 195K
代理商: 2SK3113B(1)-S27-AY
Data Sheet D18061EJ3V0DS
4
2SK3113B
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
5
10
15
20
25
V
GS
= 10 V
Pulsed
8 V
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
-
0.01
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
= 10 V
Pulsed
T
ch
= 125°C
75°C
25°C
25°C
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
G
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-50
0
50
100
150
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
|
f
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
V
DS
= 10 V
Pulsed
T
ch
=
25°C
25°C
75°C
125°C
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
R
D
Ω
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0
5
10
15
20
25
I
D
= 2.0 A
1.0 A
Pulsed
V
GS
– Gate to Source Voltage - V
R
D
Ω
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0.01
0.1
1
10
V
GS
= 10 V
20 V
Pulsed
I
D
- Drain Current - A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3113B-S15-AY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3113B-ZK-E1-AY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3113B-ZK-E2-AY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3113 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3113-Z SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3113B-S15 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK3113B-S15-AY 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3113B-ZK-E1-AY 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:REN2SK3113B-ZK-E1-AY SWITCHING N-CHANNEL
2SK3113B-ZK-E2-AY 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3113-Z 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
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