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參數資料
| 型號： | 2SK3113B-S15-AY |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | MOS場效應管 |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 195K |
| 代理商： | 2SK3113B-S15-AY |
Data Sheet D18061EJ3V0DS
5
2SK3113B
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
R
D
Ω
0
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
I
D
= 2.0 A
1.0 A
V
GS
= 10 V
Pulsed
T
ch
- Channel Temperature - °C
I
F
0.01
0.1
1
10
100
0.0
0.5
1.0
V
GS
= 10 V
0 V
Pulsed
V
F(S-D)
– Source to Drain Voltage - V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
i
,
o
,
r
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
C
iss
C
oss
C
rss
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
V
DS
- Drain to Source Voltage – V
d
,
r
,
d
,
f
1
10
100
1000
0.1
1
10
t
r
t
d(off)
t
d(on)
t
f
V
DD
= 150 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
Ω
I
D
- Drain Current - A
REVWESE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
t
10
100
1000
0.1
1
10
di/dt = 50 A/
μ
s
V
GS
= 0 V
I
D
- Drain Current - A
D
0
100
200
300
400
500
600
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
= 2.0 A
V
DD
= 450 V
300 V
150 V
V
DS
V
GS
Q
G
– Gate Chage - nC
G
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3113B-ZK-E1-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2SK3113B-ZK-E2-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2SK3113 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3113-Z | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3114 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3113B-ZK-E1-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:REN2SK3113B-ZK-E1-AY SWITCHING N-CHANNEL |
| 2SK3113B-ZK-E2-AY | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2SK3113-Z | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3113-Z-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 600V 2A 4400m@10V TO252 Bulk |
| 2SK3114 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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