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參數資料
型號: 2SK3115
廠商: NEC Corp.
元件分類: MOSFETs
英文描述: Switching N-channel power MOS FET industrial use
中文描述: N溝道 開關功率場效應晶體管 工業級
文件頁數: 5/8頁
文件大小: 69K
代理商: 2SK3115
Data Sheet D13338EJ2V0DS
5
2SK3115
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
50
150
R
D
-
I
D
= 6.0 A
3.0 A
2.0
0
50
0
100
T
ch
- Channel Temperature -
C
3.0
1.0
V
GS
= 10 V
Pulsed
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
S
1.5
1.0
0.5
0
100
10
1.0
0.1
Pulsed
0 V
V
GS
= 10 V
1000
100
10
1.0
10000
1000
100
10
1
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
C
i
,
o
,
r
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
V
GS
=
0
V
f
=
1
MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS
0.1
1
10
I
D
- Drain Current - A
t
(
,
(
,
100
10
1
0.1
V
DD
=
150
V
V
GS
= 10
V
R
G
=
10
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
1.0
10
100
t
r
0.1
I
D
- Drain Current - A
10000
1000
100
10
di/dt = 50 A/
μ
s
V
GS
= 0 V
Q
g
- Gate Charge - nC
V
D
-
0
20
10
30
40
600
400
200
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
V
G
-
16
14
12
10
8
6
4
2
0
I
D
= 6 A
V
GS
V
DD
= 450 V
300 V
120 V
V
DS
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PDF描述
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參數描述
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