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參數(shù)資料
型號: 2SK3116-S
廠商: NEC Corp.
英文描述: SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
中文描述: 開關(guān)N溝道功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大小: 70K
代理商: 2SK3116-S
Data Sheet D13339EJ2V0DS
3
2SK3116
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C)
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
10
40
20
30
5
15
20
10
0
25
6 V
V
GS
= 10 V
8 V
Pulsed
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
15
10
5
0
100
10
1.0
0.1
V
DS
= 10 V
Pulsed
T
ch
= 125
C
75
C
T
ch
= 25
C
25
C
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature -
C
V
G
50
0
50
100
150
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
1.0
10
I
D
- Drain Current - A
|
f
10
0.1
1.0
0.1
V
DS
= 10 V
Pulsed
T
ch
=
25
C
25
C
75
C
125
C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
3.0
10
2.0
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
-
1.0
0
5
15
0
Pulsed
I
D
= 4.0 A
7.5 A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
1.0
1.0
10
100
I
D
- Drain Current - A
R
D
2.0
0
3.0
V
GS
= 10 V
20 V
Pulsed
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3116-ZJ SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
2SK311 SILICON N-CHANNEL MOS FET (HIGH SPEED POWER SWITCHING)
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參數(shù)描述
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2SK3117 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PSM RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3117_06 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator DC−DC Converter and Motor Drive Applications
2SK3119 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
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