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參數資料
| 型號： | 2SK3116-ZJ |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 中文描述： | 開關N溝道功率場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | 2SK3116-ZJ |
Data Sheet D13339EJ2V0DS
5
2SK3116
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
T
C
- Case Temperature -
C
d
0
40
20
60
100
140
80
120
160
100
80
60
40
20
0
T
C
- Case Temperature -
C
P
T
-
0
80
20
40
60
100
140
120
160
80
60
40
20
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
10
30
50
70
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
10
100
1000
I
D
1
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
100
10
1
0.1
Powe DsspaionLmted
100
μ
s
1ms
10ms
100
ms
PW=10
μ
s
I
D(pulse)
I
D(DC)
30ms
DC
T
C
= 25
C
Single Pulse
R
DSon
Lmted
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
r
t
C
100 m
1
10
100
1000
10 m
1 m
100
10
100
10
1
0.1
0.01
R
th(ch-A)
=
83.3
C/W
R
th(ch-C)
=
1.79
C/W
μ
μ
#
#
#
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK311 | SILICON N-CHANNEL MOS FET (HIGH SPEED POWER SWITCHING) |
| 2SK310 | SILICON N-CHANNEL MOS FET (HIGH SPEED POWER SWITCHING) |
| 2SK3150L | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK3150 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK3150S | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3117 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PSM RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3117_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator DC−DC Converter and Motor Drive Applications |
| 2SK3119 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK312 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-3 |
| 2SK3120 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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